Samsung 990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD - 4 TB, 4 TB, M.2, 7250 MB/s

Spektakuläre Geschwindigkeit jeden Tag
Beenden Sie Ihre Aufgabenliste schneller. Das 990 EVO Plus mit dem neuesten NAND bietet noch bessere sequenzielle Les-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Super große Dateien, direkte Übertragung.

Genug Kühlung für den ganzen Tag
Verbesserte Effizienz, leistungsfähigere Leistung. Der Controller mit Nickelbeschichtung liefert 73% mehr MB/s pro Watt und bietet den gleichen Leistungsniveau und die gleiche thermische Kontrolle mit weniger Energieverbrauch. Überhitzung oder Sorgen um eine leere Batterie gehören der Vergangenheit an. Sie können sich ganz auf Ihre Arbeit oder Ihr Spiel konzentrieren.

Zusätzlicher Raum. Extra schnell.
Verwenden Sie die volle Leistung Ihrer Festplatte mit verbesserter intelligenter Turbowrite 2.0. Verarbeiten Sie große Datenmengen schneller und laden Sie schwere Grafiken mit mehr Platz für Turbowrite. Jetzt mit einer Kapazität von nicht weniger als 4 TB erhältlich.

Samsung Magier -Software
Entdecken Sie die magische Kraft Ihrer SSD. Samsung Magician Software ist ein Paket von Optimierungstools und bietet Ihnen immer die beste SSD -Leistung. Die sichere und einfache Möglichkeit, alle Ihre Daten für ein Samsung SSD -Upgrade zu migrieren. Schützen Sie wertvolle Daten, behalten Sie den Zustand Ihres Monitor -Treibers im Auge und erhalten Sie die neuesten Firmware -Updates.

Innovationen zum Leben erwecken
Das NAND-Flash-Gedächtnis von Samsung ist die Grundlage für revolutionäre Technologien, die seit Jahrzehnten unser tägliches Leben in allen Bereichen verändert haben. Dieser NAND-Flash-Speicher ist auch die Grundlage unserer SSDs für Kunden und daher die nächste führende Entwicklung.

Leistung
Sequentielle Leseberichtungen von bis zu 7.250 MB/s, nicht weniger als 45% schneller als das Vorgängermodell.

Effiziente Kapazität
73% energieeffizienter für mehr MB/s pro Watt, ohne Zugeständnisse zu Leistung und thermischer Kontrolle zu machen.

Vielseitigkeit
Bis zu 4 TB zusätzliche Kapazität und schnell intelligenter Turbowrite 2.0 mit mehr Turbowrite -Raum.

Beenden Sie Ihre Aufgabenliste schneller. Das 990 EVO Plus mit dem neuesten NAND bietet noch bessere sequenzielle Les-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Super große Dateien, direkte Übertragung.

Verbesserte Effizienz, leistungsfähigere Leistung. Der Controller mit Nickelbeschichtung liefert 73% mehr MB/s pro Watt und bietet den gleichen Leistungsniveau und die gleiche thermische Kontrolle mit weniger Energieverbrauch. Überhitzung oder Sorgen um eine leere Batterie gehören der Vergangenheit an. Sie können sich ganz auf Ihre Arbeit oder Ihr Spiel konzentrieren.

Verwenden Sie die volle Leistung Ihrer Festplatte mit verbesserter intelligenter Turbowrite 2.0. Verarbeiten Sie große Datenmengen schneller und laden Sie schwere Grafiken mit mehr Platz für Turbowrite. Jetzt mit einer Kapazität von nicht weniger als 4 TB erhältlich.

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Das NAND-Flash-Gedächtnis von Samsung ist die Grundlage für revolutionäre Technologien, die seit Jahrzehnten unser tägliches Leben in allen Bereichen verändert haben. Dieser NAND-Flash-Speicher ist auch die Grundlage unserer SSDs für Kunden und daher die nächste führende Entwicklung.

Sequentielle Leseberichtungen von bis zu 7.250 MB/s, nicht weniger als 45% schneller als das Vorgängermodell.

73% energieeffizienter für mehr MB/s pro Watt, ohne Zugeständnisse zu Leistung und thermischer Kontrolle zu machen.

Bis zu 4 TB zusätzliche Kapazität und schnell intelligenter Turbowrite 2.0 mit mehr Turbowrite -Raum.

Erstaunliche Geschwindigkeit - jeden Tag
Erledigen Sie Aufgaben in Windeseile. die 990 EVO Plus mit dem neuesten NAND bietet optimierte sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Riesige Dateien, sofortige Übertragung.

Verhindern Sie, dass Sie und Ihre SSD in den roten Bereich geraten.
Optimierte Effizienz - verbesserte Leistung. Der vernickelte Treiber steigert die MB/s pro Watt um 73 % und erreicht so das gleiche Leistungsniveau und Wärmemanagement bei geringerem Stromverbrauch. Konzentrieren Sie sich auf Ihre Arbeit oder Ihr Spiel - ohne sich Gedanken über Überhitzung oder Akkulaufzeit machen zu müssen.

Mehr Platz. Extra Geschwindigkeit
Holen Sie mit dem verbesserten Intelligent TurboWrite 2.0 das Beste aus Ihrem Laufwerk heraus. Verarbeiten Sie große Datenmengen schneller und navigieren Sie einfach und elegant durch umfangreiche Grafiken mit dem erweiterten TurboWrite-Bereich, der jetzt mit einer Kapazität von 4 TB verfügbar ist.

Die wichtigsten Vorteile:
- Produktivität: Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s - 45 % schneller als die 990 EVO
- : Um 73 % verbesserte für mehr MB/s pro Wattjahr bei gleichbleibender Leistung und Wärmemanagement.
- Vielseitigkeit: Bis zu 4 TB mehr Kapazität und schnelles IntelligentTurboWrite 2.0 mit erweitertem TurboWrite-Bereich.

Parameter und Spezifikationen:
4000 GBKapazität
M.2 (2280)
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Software: Magician SSD-Verwaltungssoftware

Cache-Speicher: HMB (Host Memory Buffer)
Interner Speicher: Samsung V-NAND TLC

Sequentielle Geschwindigkeit:
- 7.250 MB/s Lesen: 7.250 MB/s
- Schreiben: 6300 MB/s

Maximale Anzahl von zufälligen I/O-Lese- und Schreibvorgängen pro Sekunde:
- Lesen: 850.000 IOPS (4 kB, QD32)
- Schreiben: 1.350.000 IOPS ((4 kB, QD32)

Zuverlässigkeit (MTBF): 1,5 Millionen Stunden Zuverlässigkeit (MTBF)

Sonstiges:
- TRIM
- S.M.A.R.T
- GC (Garbage Collection) - automatisch
- AES 256-Bit-Verschlüsselung (Klasse 0)TCG/Opal IEEE1667 (Verschlüsselte Festplatte)
- Unterstützung für den Ruhemodus des Geräts
- Intelligentes Turbowrite 2.0

Abmessungen: 80,15 x maximal 22,15 x maximal 2,38 mm
Gewicht: 9 g






Die Samsung 990 EVO Plus mit 4 TB ist eine leistungsstarke interne NVMe SSD für leistungsfähige Desktop-PCs, Notebooks, Gaming-Systeme und anspruchsvolle Anwendungen. Sie unterstützt sowohl PCIe 4.0 x4 als auch PCIe 5.0 x2 mit dem NVMe-2.0-Protokoll und erreicht sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s sowie Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 6.300 MB/s. Samsung V-NAND TLC Technologie und ein Samsung eigener Controller sorgen für eine schnelle und zuverlässige Leistung bei Gaming, Content-Erstellung, großen Dateiübertragungen und alltäglichen Arbeitslasten. Die Host Memory Buffer (HMB) Technologie nutzt den Systemspeicher effizient und kommt ohne dedizierten DRAM aus, während Intelligent TurboWrite 2.0 und das Temperaturmanagement eine reaktionsschnelle Leistung auch bei intensiver Nutzung unterstützen. Mit einer großzügigen Speicherkapazität von 4 TB und dem kompakten M.2-2280-Formfaktor bietet die 990 EVO Plus reichlich schnellen Speicherplatz für kompatible Systeme.

Marke: Samsung
Serie: 990 EVO Plus
Produkttyp: Interne NVMe Solid State Drive (SSD)
Modell: MZ-V9S4T0
Hersteller-Teilenummer: MZ-V9S4T0BW
EAN: 8806095575667
Speicherkapazität: 4 TB / 4.000 GB
Formfaktor: M.2 2280
Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2
Protokoll: NVMe 2.0
Speichertechnologie: Samsung V-NAND TLC
Controller: Samsung eigener Controller
Cache-Technologie: HMB (Host Memory Buffer)
Dedizierter DRAM: Nein
Sequenzielle Lesegeschwindigkeit: Bis zu 7.250 MB/s
Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit: Bis zu 6.300 MB/s
Zufällige Leseleistung: Bis zu 1.050.000 IOPS
Zufällige Schreibleistung: Bis zu 1.400.000 IOPS
Schreibvolumen: 2.400 TBW
MTBF: Bis zu 1,5 Millionen Stunden
TRIM-Unterstützung: Ja
S.M.A.R.T.-Unterstützung: Ja
Hardwareverschlüsselung: AES 256-Bit, TCG/Opal, IEEE1667
Temperaturmanagement: Dynamic Thermal Guard
Betriebstemperatur: 0 °C bis 70 °C
Stoßfestigkeit: 1.500 G / 0,5 ms
Abmessungen: 80,15 × 22,15 × 2,38 mm
Gewicht: Max. 9 g
Kühlkörper: Nein
Verpackung: Retail

Funktionen
Schnittstelle : PCI Express 4 0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen : 256-bit AES
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) : 1500000 h
Speichertyp : V-NAND TLC
Lesegeschwindigkeit : 7150 MB/s
Schreibgeschwindigkeit : 6300 MB/s
SSD Speicherkapazität : 4 TB
S.M.A.R.T. Unterstützung : Ja
TRIM-Unterstützung : Ja
Zufälliges Schreiben (4KB) : 1350000 IOPS
Zufälliges Lesen (4KB) : 850000 IOPS
Komponente für : PC
Hardwareverschlüsselung : Ja
SSD-Formfaktor : M 2
NVMe : Ja
NVMe Version : 2 0
M.2 SSD- Größe : 2280 (22 x 80 mm)

Gewicht & Abmessungen
Gewicht : 9 g
Höhe : 22,1 mm
Breite : 80,2 mm
Tiefe : 2,38 mm

Betriebsbedingungen
Betriebstemperatur : 0 - 70 °C

SSD Speicherkapazität:

4 TB

SSD-Formfaktor:

M.2

Schnittstelle:

PCI Express 4.0

NVMe:

Ja

Speichertyp:

V-NAND TLC

Komponente für:

PC

Hardwareverschlüsselung:

Ja

NVMe Version:

2.0

Unterstützte Sicherheitsalgorithmen:

256-bit AES

M.2 SSD- Größe:

2280 (22 x 80 mm)

Lesegeschwindigkeit:

7250 MB/s

Schreibgeschwindigkeit:

6300 MB/s

Zufälliges Lesen (4KB):

1050000 IOPS

Zufälliges Schreiben (4KB):

1400000 IOPS

DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung:

Ja

S.M.A.R.T. Unterstützung:

Ja

TRIM-Unterstützung:

Ja

Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF):

1500000 h

Arbeitsspannung:

3,3 V

Energieverbrauch (lesen):

5,5 W

Energieverbrauch (schreiben):

4,8 W

Energieverbrauch (idle):

0,06 W

Leistungsaufnahme DevSlp (Geräte Schlaf):

5 mW

Breite:

80,2 mm

Tiefe:

2,38 mm

Höhe:

80,2 mm

Gewicht:

9 g

Verpackungsbreite:

148 mm

Verpackungstiefe:

100 mm

Verpackungshöhe:

22 mm

Paketgewicht:

70 g

Betriebstemperatur:

0 - 70 °C

Stoßfestigkeit in Betrieb:

1500 G

Samsung 990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD 4 TB. SSD-Kapazität: 4 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 7250 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 6300 MB/s, Komponente für: PC\

Produkttyp	interne SSD-Festplatte
Leistungsmerkmale
Lesetransferrate	7.250 MB/s
Schreibtransferrate	6.300 MB/s
MTBF	1.500.000 h
max. Schreibvolumen (TBW)	2.400 TB
4K Random Read IOPS	1.050.000
4K Random Write IOPS	1.400.000
Eigenschaften
Kapazität in GB	4.000 GB
Bauart	intern
Speichertyp	3D TLC
Bus	PCIe 5.0 x2
Protokoll	NVMe
Features	Host Memory Buffer (HMB), TRIM Support, Garbage Collection, SMART, Device Sleep
Controller	Samsung Piccolo
Leistungsaufnahme (Betrieb)	5,5 Watt
Verschlüsselung	AES 256-Bit
Kühlung	Low Profile Kühlkörper
Fertigungsprozess	5 nm
Umgebungsbedingungen
schockresistent bis	1.500 G
Betriebstemperatur	0 - 70 °C
Abmessungen & Gewicht
Formfaktor	M.2
Bauhöhe	2,38 mm
Gewicht	9 g
Breite	22 mm
Länge	80 mm
Weitere Eigenschaften
	1.9/td>
Quellen	*Ø Strompreis Eurostat (Stand 1. Halbjahr 2020)

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Festplatte Samsung MZ-V9S4T0BW 4 TB SSD.



Typ:

SSD.

Anschlüsse:

PCIe.

M.2.

Festplatte:

4 TB SSD.

Produktspezifikationen:

• Kapazität: 4 TB
• Größe: M.2
• Schnittstelle: PCI Express 4.0

Hersteller-Nr.: MZ-V9S4T0BW

Technische Einzelheiten:
Hersteller - Samsung

Kurzinfo: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - verschlüsselt - 4 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2.0 Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZ-V9S4T0BW EAN/UPC 8806095575667 Produktbeschreibung: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 4 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe) Typ Solid State Drive - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 5.0 x2 (NVMe) Merkmale Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm Gewicht 9 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 5.0 x2 (NVMe) Merkmale Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Breite 22.15 mm Tiefe 80.15 mm Höhe 2.38 mm Gewicht 9 g Leistung Interner Datendurchsatz 7250 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben) Maximal 4 KB Random Write 1400000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 1050000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1.500.000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Stromversorgung Energieverbrauch 5.5 Watt (Lesen) 4.8 Watt (Schreiben) 60 mW (Standby) 5 mW (Sleep-Modus) Software & Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Gehäusematerial Nickelbeschichtung Abmessungen & Gewicht (Transport) Transportbreite 9.9 cm Transporttiefe 2.29 cm Transporthöhe 14.2 cm Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Min. Lagertemperatur -40 °C Max. Lagertemperatur 85 °C Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb 5 - 95 % (nicht kondensierend) Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) 20 g @ 20-2000 Hz

Die Samsung 990 EVO Plus NVMe M.2 SSD bietet erhöhte sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7150/6300 MB/s und zufällige Lese-/ Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 850.000/ 1.350.000 IOPS. Durch die Unterstützung der neusten PCIe 4.0 x4- und PCIe 5.0 x2-Schnittstellen bietet es Flexibilität für aktuelle und zukünftige Aufgaben.

Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - verschlüsselt - 4TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5,0 x2 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2,0 (MZ-V9S4T0

Erledigen Sie Aufgaben schneller. Die 990 EVO Plus mit dem neuesten NAND bietet verbesserte sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7150/6300 MB/s. Riesige Dateien werden sofort übertragen. Merkmale Frische Energie über die gesamte Lebensdauer der...

MINIX BRIDGERTON - PENELOPE FEATHERINGTON

4TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus Retail - Eine 4TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus SSD im Einzelhandelspaket.

MZ-V9S4T0BW

Samsung 990 EVO Plus SSD 4TB M.2 PCIe Gen4/Gen5 NVMe Internes Solid-State-Module