Samsung 990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD - 4 TB, 4 TB, M.2, 7250 MB/s

4TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus Retail - Eine 4TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus SSD im Einzelhandelspaket. Die Samsung 990 EVO Plus NVMe M.2 SSD bietet erhöhte sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7150/6300 MB/s und zufällige Lese-/ Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 850.000/ 1.350.000 IOPS. Durch die Unterstützung der neusten PCIe 4.0 x4- und PCIe 5.0 x2-Schnittstellen bietet es Flexibilität für aktuelle und zukünftige Aufgaben. Erledigen Sie Aufgaben schneller. Die 990 EVO Plus mit dem neuesten NAND bietet verbesserte sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7150/6300 MB/s. Riesige Dateien werden sofort übertragen. Merkmale Frische Energie über die gesamte Lebensdauer der... Erstaunliche Geschwindigkeit - jeden Tag
Erledigen Sie Aufgaben in Windeseile. die 990 EVO Plus mit dem neuesten NAND bietet optimierte sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Riesige Dateien, sofortige Übertragung.

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Optimierte Effizienz - verbesserte Leistung. Der vernickelte Treiber steigert die MB/s pro Watt um 73 % und erreicht so das gleiche Leistungsniveau und Wärmemanagement bei geringerem Stromverbrauch. Konzentrieren Sie sich auf Ihre Arbeit oder Ihr Spiel - ohne sich Gedanken über Überhitzung oder Akkulaufzeit machen zu müssen.

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Die wichtigsten Vorteile:
- Produktivität: Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s - 45 % schneller als die 990 EVO
- : Um 73 % verbesserte für mehr MB/s pro Wattjahr bei gleichbleibender Leistung und Wärmemanagement.
- Vielseitigkeit: Bis zu 4 TB mehr Kapazität und schnelles IntelligentTurboWrite 2.0 mit erweitertem TurboWrite-Bereich.

Parameter und Spezifikationen:
4000 GBKapazität
M.2 (2280)
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Software: Magician SSD-Verwaltungssoftware

Cache-Speicher: HMB (Host Memory Buffer)
Interner Speicher: Samsung V-NAND TLC

Sequentielle Geschwindigkeit:
- 7.250 MB/s Lesen: 7.250 MB/s
- Schreiben: 6300 MB/s

Maximale Anzahl von zufälligen I/O-Lese- und Schreibvorgängen pro Sekunde:
- Lesen: 850.000 IOPS (4 kB, QD32)
- Schreiben: 1.350.000 IOPS ((4 kB, QD32)

Zuverlässigkeit (MTBF): 1,5 Millionen Stunden Zuverlässigkeit (MTBF)

Sonstiges:
- TRIM
- S.M.A.R.T
- GC (Garbage Collection) - automatisch
- AES 256-Bit-Verschlüsselung (Klasse 0)TCG/Opal IEEE1667 (Verschlüsselte Festplatte)
- Unterstützung für den Ruhemodus des Geräts
- Intelligentes Turbowrite 2.0

Abmessungen: 80,15 x maximal 22,15 x maximal 2,38 mm
Gewicht: 9 g

Funktionen
Schnittstelle : PCI Express 4 0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen : 256-bit AES
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) : 1500000 h
Speichertyp : V-NAND TLC
Lesegeschwindigkeit : 7150 MB/s
Schreibgeschwindigkeit : 6300 MB/s
SSD Speicherkapazität : 4 TB
S.M.A.R.T. Unterstützung : Ja
TRIM-Unterstützung : Ja
Zufälliges Schreiben (4KB) : 1350000 IOPS
Zufälliges Lesen (4KB) : 850000 IOPS
Komponente für : PC
Hardwareverschlüsselung : Ja
SSD-Formfaktor : M 2
NVMe : Ja
NVMe Version : 2 0
M.2 SSD- Größe : 2280 (22 x 80 mm)

Gewicht & Abmessungen
Gewicht : 9 g
Höhe : 22,1 mm
Breite : 80,2 mm
Tiefe : 2,38 mm

Betriebsbedingungen
Betriebstemperatur : 0 - 70 °C

Kurzinfo: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - verschlüsselt - 4 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2.0 Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZ-V9S4T0BW EAN/UPC 8806095575667 Produktbeschreibung: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 4 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe) Typ Solid State Drive - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 5.0 x2 (NVMe) Merkmale Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm Gewicht 9 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 5.0 x2 (NVMe) Merkmale Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Breite 22.15 mm Tiefe 80.15 mm Höhe 2.38 mm Gewicht 9 g Leistung Interner Datendurchsatz 7250 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben) Maximal 4 KB Random Write 1400000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 1050000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1.500.000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Stromversorgung Energieverbrauch 5.5 Watt (Lesen) 4.8 Watt (Schreiben) 60 mW (Standby) 5 mW (Sleep-Modus) Software & Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Gehäusematerial Nickelbeschichtung Abmessungen & Gewicht (Transport) Transportbreite 9.9 cm Transporttiefe 2.29 cm Transporthöhe 14.2 cm Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Min. Lagertemperatur -40 °C Max. Lagertemperatur 85 °C Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb 5 - 95 % (nicht kondensierend) Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) 20 g @ 20-2000 Hz MINIX BRIDGERTON - PENELOPE FEATHERINGTON

Produktspezifikationen:

• Kapazität: 4 TB
• Größe: M.2
• Schnittstelle: PCI Express 4.0

Hersteller-Nr.:MZ-V9S4T0BW

Produkttyp	interne SSD-Festplatte
Leistungsmerkmale
Lesetransferrate	7.250 MB/s
Schreibtransferrate	6.300 MB/s
MTBF	1.500.000 h
max. Schreibvolumen (TBW)	2.400 TB
4K Random Read IOPS	1.050.000
4K Random Write IOPS	1.400.000
Eigenschaften
Kapazität in GB	4.000 GB
Bauart	intern
Speichertyp	3D TLC
Bus	PCIe 5.0 x2
Protokoll	NVMe
Features	Host Memory Buffer (HMB), TRIM Support, Garbage Collection, SMART, Device Sleep
Controller	Samsung Piccolo
Leistungsaufnahme (Betrieb)	5,5 Watt
Verschlüsselung	AES 256-Bit
Kühlung	Low Profile Kühlkörper
Fertigungsprozess	5 nm
Umgebungsbedingungen
schockresistent bis	1.500 G
Betriebstemperatur	0 - 70 °C
Abmessungen & Gewicht
Formfaktor	M.2
Bauhöhe	2,38 mm
Gewicht	9 g
Breite	22 mm
Länge	80 mm
Weitere Eigenschaften
	1.9/td>
Quellen	*Ø Strompreis Eurostat (Stand 1. Halbjahr 2020)

SSD Speicherkapazität:

4 TB

SSD-Formfaktor:

M.2

Schnittstelle:

PCI Express 4.0

NVMe:

Ja

Speichertyp:

V-NAND TLC

Komponente für:

PC

Hardwareverschlüsselung:

Ja

NVMe Version:

2.0

Unterstützte Sicherheitsalgorithmen:

256-bit AES

M.2 SSD- Größe:

2280 (22 x 80 mm)

Lesegeschwindigkeit:

7250 MB/s

Schreibgeschwindigkeit:

6300 MB/s

Zufälliges Lesen (4KB):

1050000 IOPS

Zufälliges Schreiben (4KB):

1400000 IOPS

DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung:

Ja

S.M.A.R.T. Unterstützung:

Ja

TRIM-Unterstützung:

Ja

Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF):

1500000 h

Arbeitsspannung:

3,3 V

Energieverbrauch (lesen):

5,5 W

Energieverbrauch (schreiben):

4,8 W

Energieverbrauch (idle):

0,06 W

Leistungsaufnahme DevSlp (Geräte Schlaf):

5 mW

Breite:

80,2 mm

Tiefe:

2,38 mm

Höhe:

80,2 mm

Gewicht:

9 g

Verpackungsbreite:

148 mm

Verpackungstiefe:

100 mm

Verpackungshöhe:

22 mm

Paketgewicht:

70 g

Betriebstemperatur:

0 - 70 °C

Stoßfestigkeit in Betrieb:

1500 G

Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - verschlüsselt - 4TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5,0 x2 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2,0 (MZ-V9S4T0

Samsung 990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD 4 TB. SSD-Kapazität: 4 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 7250 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 6300 MB/s, Komponente für: PC\

Lieferumfang

SSD, Bedienungsanleitung

Samsung 990 EVO Plus SSD 4TB M.2 PCIe Gen4/Gen5 NVMe Internes Solid-State-Module Spektakuläre Geschwindigkeit, jeden Tag
Erledigen Sie Ihre To-Do-Liste schneller. Der 990 EVO Plus mit neuestem NAND bietet noch bessere sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Supergroße Dateien, sofortige Übertragung.

Ausreichende Abkühlung für den ganzen Tag
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Leistung
Sequentielle Lesegeschwindigkeit bis zu 7.250 MB/s, nicht weniger als 45 % schneller als das Vorgängermodell.

Effiziente Leistung
73 % energieeffizienter für mehr MB/s pro Watt, ohne Einbußen bei Leistung und Wärmekontrolle.

Vielseitigkeit
Bis zu 4 TB zusätzliche Kapazität und schnelles Intelligent TurboWrite 2.0 mit mehr TurboWrite-Speicherplatz.

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Technische Einzelheiten:
Hersteller - Samsung

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Festplatte Samsung MZ-V9S4T0BW 4 TB SSD.



Typ:

SSD.

Anschlüsse:

PCIe.

M.2.

Festplatte:

4 TB SSD.