Speicherkapazität:

2 TB

Wichtige Infos auf einen Blick

  • Erlebe rasante Geschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s beim Lesen und 6.300 MB/s beim Schreiben.
  • Profitiere von 2 TB Speicherkapazität für all deine Daten und Anwendungen.
  • Die vielseitige PCIe 4.0/5.0 x2 NVMe 2.0 Schnittstelle sorgt für breite Kompatibilität und Zukunftssicherheit.
  • Dank effektivem Wärmemanagement bleibt deine SSD auch bei intensiver Nutzung cool und leistungsstark.
  • Nutze die intelligente TurboWrite 2.0 Technologie für noch schnellere Datenverarbeitung.
  • Verwalte und optimiere deine SSD ganz einfach mit der praktischen Samsung Magician Software.
KI-generiert auf Basis der Produktdaten

Samsung 990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD - 2 TB, 2 TB, M.2, 7250 MB/s

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Produktbeschreibung & Produktdaten

Rasant durch deinen Tag
Erledige deine Aufgaben im Handumdrehen. Die 990 EVO Plus mit aktuellem NAND-Flash-Speicher bietet sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Große Dateien, schnell übertagen.

Auf einen Blick

Kapazität2 TB · M.2
SchnittstellePCI Express 4.0 · NVMe
Geschwindigkeitlesen 7.250 MB/s · schreiben 6.300 MB/s
HaltbarkeitMTBF 1,5 Mio. Std.
SpeichertypV-NAND TLC · Hardwareverschlüsselung

Ihre Vorteile

  • Samsung Magician Software
    Nutze deine SSD ganz nach deinen Vorstellungen mit der Samsung Magician Software – einer Reihe einfacher Tools, mit denen du die SSD-Performance dauerhaft hoch halten kannst. Übertrage Daten schnell und sicher, behalte den Laufwerkszustand im Blick und erhalte stets die neuesten Firmware-Updates.
  • Entscheide dich für Sicherheit
    Wir sprechen von Dateien und Ordnern. Doch in Wahrheit sind es Momente, die du nicht verlieren willst.

Produktbeschreibung

Mit cooler Power durch den Tag
Viel Effizienz für hohe Performance. Der nickelbeschichtete Controller erhöht die MB/s pro Watt im Vergleich zur 990 EVO um bis zu 73% und erreicht die gleiche Leistung und Wärmekontrolle bei weniger Stromverbrauch. Fokussiere dich ganz auf deine Arbeit oder dein Gaming, ohne dir Gedanken um Überhitzung oder die Akkulaufzeit machen zu müssen.

Viel Platz. Viel Geschwindigkeit.
Nutze die volle Leistung deines Laufwerks mit intelligentem TurboWrite 2.0. Verarbeite schnell große Datenmengen und bewältige anspruchsvolle Grafiken mit einem großen TurboWrite-Bereich, der jetzt mit einer Kapazität von bis zu 4 TB erhältlich ist.

Samsung Magician Software
Moderne Laufwerksverwaltung wie von Zauberhand – mit der Samsung Magician Software. Die benutzerfreundliche Software-Lösung kann dir dabei helfen, immer ein Auge auf deine SSD zu haben. Damit kannst du dein Laufwerk mit Updates auf dem neusten Stand halten, Statusparameter und Geschwindigkeit überwachen und auch die Leistungsfähigkeit anpassen.

Es wird empfohlen, die Firmware deiner Samsung SSDs immer auf die neueste Version zu aktualisieren.

Moderne Technologie mit Leben füllen
Seit Jahrzehnten ist der Samsung NAND-Flash-Speicher ein Motor für moderne Technologien, die unser tägliches Leben verändert haben. Die NAND-Flash-Technologie treibt unsere SSDs an und schafft Raum für den nächsten Schub moderner Technologie.

Leistung
Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s. Damit bis zu 45% schneller als die 990 EVO.


Um bis zu 73% höhere im Vergleich zur 990 EVO für mehr MB/s pro Watt bei konstanter Leistung und Wärmekontrolle.

Vielseitigkeit
Hohe Kapazität von bis zu 4 TB und schnelles intelligentes TurboWrite 2.0 mit vergrößertem TurboWrite-Bereich.

Alle technischen Daten anzeigen (31 Angaben)

Merkmale

NVMe Version2.0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen256-bit AES
SSD Speicherkapazität2 TB
SSD-FormfaktorM.2
SchnittstellePCI Express 4.0
NVMeJa
SpeichertypV-NAND TLC
Komponente fürPC
HardwareverschlüsselungJa
M.2 SSD- Größe2280 (22 x 80 mm)
Lesegeschwindigkeit7250 MB/s
Schreibgeschwindigkeit6300 MB/s
Zufälliges Lesen (4KB)1000000 IOPS
Zufälliges Schreiben (4KB)1350000 IOPS
DevSlp (Geräteschlaf)-UnterstützungJa
S.M.A.R.T. UnterstützungJa
TRIM-UnterstützungJa
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF)1500000 h

Energie

Arbeitsspannung3,3 V
Energieverbrauch (lesen)4,6 W
Energieverbrauch (schreiben)4,2 W
Durchschnittlicher Stromverbrauch (Lesen)4,6 W
Durchschnittlicher Stromverbrauch (Schreiben)4,2 W
Energieverbrauch (idle)0,06 W
Leistungsaufnahme DevSlp (Geräte Schlaf)5 mW

Gewicht und Abmessungen

Breite80,2 mm
Tiefe2,38 mm
Höhe80,2 mm
Gewicht9 g

Betriebsbedingungen

Betriebstemperatur0 - 70 °C
Stoßfestigkeit in Betrieb1500 G

Technische Daten laut Hersteller, bereitgestellt über Icecat. Änderungen und Irrtümer vorbehalten.



Die 990 EVO Plus mit dem neuesten NAND bietet verbesserte sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7250/6300 MB/s. Riesige Dateien, sofortige Übertragung. Den ganzen Tag frische Energie. Optimierte Effizienz, verbesserte Leistung. Der vernickelte Controller erhöht die MB/s pro Watt um 73 % und erreicht so das gleiche Maß an Strom- und Temperaturregelung bei geringerem Stromverbrauch. Konzentrieren Sie sich auf Arbeit oder Freizeit, ohne sich Gedanken über Überhitzung oder Akkulaufzeit machen zu müssen. Mehr Platz. Mehr Geschwindigkeit. Nutzen Sie die volle Leistung Ihres Laufwerks mit der verbesserten TurboWrite 2.0-Technologie. Verarbeiten Sie große Datenmengen schneller und nutzen Sie schwere Grafiken mit einem erweiterten TurboWrite-Bereich. Samsung Magician Software. Lassen Sie Ihre SSD wie von Zauberhand funktionieren. Die Optimierungstools der Samsung Magician Software sorgen für die beste SSD-Leistung. Es ist eine sichere und einfache Möglichkeit, alle Ihre Daten zu migrieren, um Ihre Samsung SSD aufzurüsten. Schützen Sie wertvolle Daten, überwachen Sie den Zustand des Laufwerks und erhalten Sie die neuesten Firmware-Updates. Innovationen zum Leben erwecken. Seit Jahrzehnten treibt der Samsung NAND-Flash-Speicher revolutionäre Technologien voran, die jeden Aspekt unseres täglichen Lebens verändert haben. Diese NAND-Flash-Technologie treibt auch unsere Consumer-SSDs an und ebnet den Weg für den nächsten großen Innovationsschub.

Spezifikationen:

- NVMe-Version: 2.0
- Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-Bit-AES
- SDD-Kapazität: 2 TB
- SSD-Formfaktor: M.2
- Schnittstelle: PCI Express 4.0 / 5.0 x2 NVMe 2.0
- NVMe: Ja
- Speichertyp: V-NAND TLC
- Komponente für: PC
- Hardwareverschlüsselung: Ja
- M.2 SSD-Laufwerksgröße: 2280 (22x80 mm)
- Lesegeschwindigkeit: 7250 MB/s
- Schreibgeschwindigkeit: 6300 MB/s
- Zufälliges Lesen (4 KB): 850000 IOPS
- Zufälliges Schreiben (4 KB): 1350000 IOPS
- SMART-Unterstützung: Ja
- TRIM-Unterstützung: Ja
- Mittlere Zeit zwischen Ausfällen: 1500000 h

Gewicht & Abmessungen:
- Breite: 80.2 mm
- Tiefe: 2.38 mm
- Höhe: 22.1 mm
- Gewicht: 9 g



Erstaunliche Geschwindigkeit - jeden Tag
Erledigen Sie Aufgaben in Windeseile. die 990 EVO Plus mit dem neuesten NAND bietet optimierte sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Riesige Dateien, sofortige Übertragung.

Verhindern Sie, dass Sie und Ihre SSD in den roten Bereich geraten.
Optimierte Effizienz - verbesserte Leistung. Der vernickelte Treiber erhöht die MB/s pro Watt um 73 % und erreicht so das gleiche Leistungsniveau und Wärmemanagement bei geringerem Stromverbrauch. Konzentrieren Sie sich auf Ihre Arbeit oder Ihr Spiel - ohne sich Gedanken über Überhitzung oder Akkulaufzeit machen zu müssen.

Mehr Platz. Extra Geschwindigkeit
Holen Sie mit dem verbesserten Intelligent TurboWrite 2.0 das Beste aus Ihrem Laufwerk heraus. Verarbeiten Sie große Datenmengen schneller und navigieren Sie einfach und elegant durch umfangreiche Grafiken mit dem erweiterten TurboWrite-Bereich, der jetzt mit einer Kapazität von 4 TB verfügbar ist.

Die wichtigsten Vorteile:
- Produktivität: Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s - 45 % schneller als die 990 EVO
- : Um 73 % verbesserte für mehr MB/s pro Wattjahr bei gleichbleibender Leistung und Wärmemanagement.
- Vielseitigkeit: Bis zu 4 TB mehr Kapazität und schnelles IntelligentTurboWrite 2.0 mit erweitertem TurboWrite-Bereich.

Parameter und Spezifikationen:
Kapazität: 2000 GB
M.2 (2280)
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Software: Magician SSD Management Software

Cache-Speicher: HMB (Host Memory Buffer)
Interner Speicher: Samsung V-NAND TLC

Sequentielle Geschwindigkeit:
- 7.150 MB/s Lesen
- Schreiben: 6.300 MB/s

Maximale Anzahl zufälliger I/O-Lese- und Schreibvorgänge pro Sekunde:
- Lesen: 850.000 IOPS (4 kB, QD32)
- Schreiben: 1.350.000 IOPS ((4 kB, QD32)

Zuverlässigkeit (MTBF): 1,5 Millionen Stunden Zuverlässigkeit (MTBF)

Sonstiges:
- TRIM
- S.M.A.R.T
- GC (Garbage Collection) - automatisch
- AES 256-Bit-Verschlüsselung (Klasse 0)TCG/Opal IEEE1667 (Verschlüsselte Festplatte)
- Unterstützung für den Ruhemodus des Geräts
- Intelligentes Turbowrite 2.0

Abmessungen: 80,15 x maximal 22,15 x maximal 2,38 mm
Gewicht: 9 g






Die Samsung 990 EVO Plus mit 2 TB ist eine leistungsstarke interne NVMe SSD für leistungsfähige Desktop-PCs, Notebooks, Gaming-Systeme und anspruchsvolle Anwendungen. Sie unterstützt sowohl PCIe 4.0 x4 als auch PCIe 5.0 x2 mit dem NVMe-2.0-Protokoll und erreicht sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s sowie Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 6.300 MB/s. Samsung V-NAND TLC Technologie und ein Samsung eigener Controller sorgen für eine schnelle und zuverlässige Leistung bei Gaming, Content-Erstellung, großen Dateiübertragungen und alltäglichen Arbeitslasten. Die Host Memory Buffer (HMB) Technologie nutzt den Systemspeicher effizient und kommt ohne dedizierten DRAM aus, während Intelligent TurboWrite 2.0 und das fortschrittliche Temperaturmanagement eine reaktionsschnelle Leistung auch bei intensiver Nutzung unterstützen. Mit 2 TB Speicherkapazität und dem kompakten M.2-2280-Formfaktor bietet die 990 EVO Plus eine vielseitige Hochgeschwindigkeits-Speicherlösung für kompatible Systeme.

Marke: Samsung
Serie: 990 EVO Plus
Produkttyp: Interne NVMe Solid State Drive (SSD)
Modell: MZ-V9S2T0
Hersteller-Teilenummer: MZ-V9S2T0BW
EAN: 8806095575650
Speicherkapazität: 2 TB / 2.000 GB
Formfaktor: M.2 2280
Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2
Protokoll: NVMe 2.0
Speichertechnologie: Samsung V-NAND TLC
Controller: Samsung eigener Controller
Cache-Technologie: HMB (Host Memory Buffer)
Dedizierter DRAM: Nein
Sequenzielle Lesegeschwindigkeit: Bis zu 7.250 MB/s
Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit: Bis zu 6.300 MB/s
Zufällige Leseleistung: Bis zu 1.000.000 IOPS
Zufällige Schreibleistung: Bis zu 1.350.000 IOPS
Schreibvolumen: 1.200 TBW
MTBF: Bis zu 1,5 Millionen Stunden
TRIM-Unterstützung: Ja
S.M.A.R.T.-Unterstützung: Ja
Hardwareverschlüsselung: AES 256-Bit, TCG/Opal, IEEE1667
Temperaturmanagement: Dynamic Thermal Guard
Betriebstemperatur: 0 °C bis 70 °C
Stoßfestigkeit: 1.500 G / 0,5 ms
Abmessungen: 80,15 × 22,15 × 2,38 mm
Gewicht: Max. 9 g
Kühlkörper: Nein
Verpackung: Retail


Gerät aus , technisch überprüft, auf Werkseinstellungen gesetzt, Zustand . Verpackung geöffnet. mit .
  • Leistungsstark: interne SSD mit sequenziellen Lesegeschwindigkeiten bis zu 7.250 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten bis zu 6.300 MB/s¹ (bis zu 45 Prozent schneller als die 990 EVO²)
  • Energieeffizient: bis zu 73 Prozent höhere im Vergleich zum Vorgängermodell³ - für mehr MB/s pro Watt und eine lange Akkulaufzeit
  • Vielseitig: hohe Performance beim täglichen Gaming und Arbeiten sowie für kreative Projekte dank Kompatibilität mit PCIe 4.0 x4 und PCIe 5.0 x2
  • Zuverlässig: Heat Spreader Label zur effektiven Wärmeabfuhr beim NAND-Chip, Moderner thermischer Steueralgorithmus und Dynamic Thermal Guard zur Wärmeregulierung – für konstant hohe Performance
  • Einfache Laufwerksverwaltung: bedienungsfreundliche Samsung Magician Software für Laufwerk-Updates und Leistungsoptimierung⁵ ⁶
  • Lieferumfang: 1 x Samsung 990 EVO Plus Interne NVMe M.2 SSD MZ-V9S2T0BW, Solid State Drive, Speicherkapazität: 2 TB


Funktionen
Schnittstelle : PCI Express 4 0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen : 256-bit AES
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) : 1500000 h
Speichertyp : V-NAND TLC
Lesegeschwindigkeit : 7150 MB/s
Schreibgeschwindigkeit : 6300 MB/s
SSD Speicherkapazität : 2 TB
S.M.A.R.T. Unterstützung : Ja
TRIM-Unterstützung : Ja
Zufälliges Schreiben (4KB) : 1350000 IOPS
Zufälliges Lesen (4KB) : 850000 IOPS
Komponente für : PC
Hardwareverschlüsselung : Ja
SSD-Formfaktor : M 2
NVMe : Ja
NVMe Version : 2 0
M.2 SSD- Größe : 2280 (22 x 80 mm)

Gewicht & Abmessungen
Gewicht : 9 g
Höhe : 22,1 mm
Breite : 80,2 mm
Tiefe : 2,38 mm

Betriebsbedingungen
Betriebstemperatur : 0 - 70 °C



SSD Speicherkapazität:
2 TB
SSD-Formfaktor:
M.2
Schnittstelle:
PCI Express 4.0
NVMe:
Ja
Speichertyp:
V-NAND TLC
Komponente für:
PC
Hardwareverschlüsselung:
Ja
NVMe Version:
2.0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen:
256-bit AES
M.2 SSD- Größe:
2280 (22 x 80 mm)
Lesegeschwindigkeit:
7250 MB/s
Schreibgeschwindigkeit:
6300 MB/s
Zufälliges Lesen (4KB):
1000000 IOPS
Zufälliges Schreiben (4KB):
1350000 IOPS
DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung:
Ja
S.M.A.R.T. Unterstützung:
Ja
TRIM-Unterstützung:
Ja
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF):
1500000 h
Arbeitsspannung:
3,3 V
Energieverbrauch (lesen):
4,6 W
Energieverbrauch (schreiben):
4,2 W
Durchschnittlicher Stromverbrauch (Lesen):
4,6 W
Durchschnittlicher Stromverbrauch (Schreiben):
4,2 W
Energieverbrauch (idle):
0,06 W
Leistungsaufnahme DevSlp (Geräte Schlaf):
5 mW
Breite:
80,2 mm
Tiefe:
2,38 mm
Höhe:
80,2 mm
Gewicht:
9 g
Verpackungsbreite:
139 mm
Verpackungstiefe:
102 mm
Verpackungshöhe:
24 mm
Paketgewicht:
70 g
Betriebstemperatur:
0 - 70 °C
Stoßfestigkeit in Betrieb:
1500 G


Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
2 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Merkmale
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Breite
22.15 mm
Tiefe
80.15 mm
Höhe
2.38 mm
Gewicht
9 g
Leistung
Interner Datendurchsatz
7250 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
1350000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
1000000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
1.500.000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
4.6 Watt (Lesen)
4.2 Watt (Schreiben)
60 mW (Standby)
5 mW (Sleep-Modus)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen
Samsung Magician Software
Verschiedenes
Gehäusematerial
Nickelbeschichtung
Service und Support
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 20-2000 Hz


Samsung 990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD 2TB. SSD capaciteit: 2 TB, SSD-vormfactor: M.2, Leessnelheid: 7250 MB/s, Schrijfsnelheid: 6300 MB/s, Component voor: PC

Kenmerken

Opslagcapaciteit2 TB
FormaatM.2
InterfacePCI Express 4.0
NVMeJa
NVMe versie2.0
Soort geheugenV-NAND TLC
Leessnelheid max.7250 MB/s
Schrijfsnelheid max.6300 MB/s
Leessnelheid willekeurig (4KB)1000000 IOPS
Schrijfsnelheid willekeurig (4KB)1350000 IOPS
S.M.A.R.T. supportJa
TRIM supportJa
Betrouwbaarheid (MTBF)1500000 uur
Encryptie ondersteuning256-bit AES

Energie

Stroomverbruik (schrijven)4,2 W
Stroomverbruik (lezen)4,6 W
Stroomverbruik (inactief)0,06 W
Voltage3,3 V

Gewicht en omvang

Hoogte80,2 mm
Breedte80,2 mm
Diepte2,38 mm
Gewicht9 g


Allgemeine Informationen

Hersteller:
Samsung
Hersteller-Artikelnummer:
MZ-V9S2T0BW
Hersteller-Webseite:
Marke:
Samsung
Produktreihe:
990 EVO Plus
Modell:
MZ-V9S2T0
Produktbezeichnung:
MZ-V9S2T0 Solid State-Laufwerk
Produkttyp:
Solid State-Laufwerk

Technische Informationen

Speicherkapazität:
2 TB
Unterstützte Plattform:
PC

Laufwerk

Random 4KB Leselaufwerk:
1000000IOPS
Random 4KB Schreiblaufwerk:
1350000IOPS
Endurance (TBW):
1200 TB
Maximale sequentielle Leserate:
7,08 GB/s
Maximale sequentielle Schreibrate:
6,15 GB/s
Mittlere störungsfreie Zeit (Mean Time Between Failures, MTBF):
171,1 Jahr(e)

Schnittstellen / Anschlüsse

Festplatten-Schnittstelle:
PCI Express NVMe
Laufwerk-Schnittstellennorm:
PCI Express NVMe 5.0 x2

Abmessungen / Gewicht / Farbe

Laufwerkstyp:
Intern
Formfaktor:
M.2 2280
Höhe:
2,4 mm
Breite:
22,2 mm
Tiefe:
80,2 mm

Verschiedenes

Betriebssystem-Kompatibilität:
  • Windows 10 Pro
  • Windows 11 Pro
Unterstützte Geräte:
Computer




  • Typ: SSD
  • Anschlüsse:
    • M.2
    • PCI-Express 4.0
  • Speicher-Typ: V-NAND TLC
  • Geschwindigkeit: 6300 MB/S
  • Festplatte: 2 TB SSD
  • Empfohlene Verwendung: Desktop PC
  • Ungefähre Abmessungen: 8 x 2,2 x 0,22 cm


SAMSUNG
Interne M.2 SSD-Festplatte
990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD - 2 TB
M.2 SSD-Festplatte
2 TB Speicherkapazität
Schnittstelle: PCI Express 4.0
7150 MB/s Lesegeschwindigkeit, 6300 MB/s Schreibgeschwindigkeit



Produktspezifikationen:

  • Kapazität: 2 TB
  • Größe: M.2
  • Schnittstelle: PCI Express 4.0

Hersteller-Nr.: MZ-V9S2T0BW



Kurzinfo: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - verschlüsselt - 2 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2.0 Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZ-V9S2T0BW EAN/UPC 8806095575650 Produktbeschreibung: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 2 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe) Typ Solid State Drive - intern Kapazität 2 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 5.0 x2 (NVMe) Merkmale Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm Gewicht 9 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Kapazität 2 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 5.0 x2 (NVMe) Merkmale Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Breite 22.15 mm Tiefe 80.15 mm Höhe 2.38 mm Gewicht 9 g Leistung Interner Datendurchsatz 7250 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben) Maximal 4 KB Random Write 1350000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 1000000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1.500.000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Stromversorgung Energieverbrauch 4.6 Watt (Lesen) 4.2 Watt (Schreiben) 60 mW (Standby) 5 mW (Sleep-Modus) Software & Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Gehäusematerial Nickelbeschichtung Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) 20 g @ 20-2000 Hz

Die Samsung 990 EVO Plus NVMe M.2 SSD bietet erhöhte sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7150/6300 MB/s und zufällige Lese-/ Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 850.000/ 1.350.000 IOPS. Durch die Unterstützung der neusten PCIe 4.0 x4- und PCIe 5.0 x2-Schnittstellen bietet es Flexibilität für aktuelle und zukünftige Aufgaben.

Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - verschlüsselt - 2TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5,0 x2 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2,0 (MZ-V9S2T0

Erledigen Sie Aufgaben schneller. Die 990 EVO Plus mit dem neuesten NAND bietet verbesserte sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7150/6300 MB/s. Riesige Dateien werden sofort übertragen. Merkmale Frische Energie über die gesamte Lebensdauer der...

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MZ-V9S2T0BW

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Die Samsung 990 EVO Plus ist eine leistungsstarke NVMe SSD mit PCIe 5.0 x4 und 4.0 x4 Dual-Support. Bis zu 7250 MB/s sequenzielles Lesen. Samsung V-NAND 8. Generation und integrierter Pablo Controller. Intelligent TurboWrite 2.0 für konsistente Schreibgeschwindigkeiten. Samsung Magician Software für Überwachung und Optimierung.

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Lesegeschwindigkeit
7250 MB/s
Schreibgeschwindigkeit
6300 MB/s
Version
2.0
Hersteller
Gewicht
0.009 kg
Speicherkapazität
Herstellernummer
MZ-V9S2T0BW
EAN
8806095575650

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Wie beschrieben im Orginalzustand
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