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Samsung 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 4 TB, 4 TB, M.2, 14800 MB/s
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Produktbeschreibung & Produktdaten
4TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen5 9100 PRO Basic Retail - Hochleistungs-SSD mit 4TB Speicherkapazität, M. 2-Formfaktor, PCI-E-Schnittstelle und NVMe Gen5-Technologie für schnelle Datenübertragung. Bringen Sie Ihre Ausrüstung auf die nächste Stufe mit der Samsung 4TB M.2 PCIe 5.0 SSD: Geschwindigkeit, Sicherheit und Haltbarkeit für Profis, die maximale Leistung verlangen. Eigenschaften Samsung 4TB SSD M.2 PCIe 5.0 Extreme Leistung ohne Kompromisse... Die 9100 PRO erreicht schnelle sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 14.800/13.400 MB/s und zufällige Lese-/Schreibgeschwindigkeiten mit bis zu 2.200K/2.600K IOPS. Dank der PCIe 5.0-Schnittstellen lassen sich Videobearbeitung, 3D-Design und sogar lange Streaming-Sessions mühelos meistern. Die Samsung 9100 PRO ist eine leistungsstarke PCIe 5.0 NVMe SSD, die für Aufgaben wie KI-Computing, Gaming und intensive Workflows entwickelt wurde. Hier sind einige ihrer wichtigsten Funktionen: Lese- und Schreibgeschwindigkeiten: Sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 14.800 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 13.400 MB/s machen sie zu einer der schnellsten SSDs auf dem Markt. Leistung: Zufällige Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 2.200.000/2.600.000 IOPS für reibungsloses Multitasking und schnellen Datenzugriff. Kapazität: Erhältlich in den Varianten 1 TB, 2 TB, 4 TB und demnächst auch 8 TB. Thermische Effizienz: Fortschrittliche Energie- und Wärmeregelung für bis zu 49 % verbesserte im Vergleich zu Vorgängermodellen. Vielseitigkeit: Ideal für Gaming, Videobearbeitung, 3D-Rendering und KI-Anwendungen.
MZ-VAP4T0BW Samsung 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 4 TB. SSD Speicherkapazität: 4 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 14800 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 13400 MB/s, Komponente für: PC/Spielekonsole
Allgemeine Informationen
- Hersteller:
- Samsung
- Hersteller-Artikelnummer:
- MZ-VAP4T0BW
- Hersteller-Webseite:
- Marke:
- Samsung
- Produktlinie:
- 9100 PRO
- Modell:
- MZ-VAP4T0BW
- Produktbezeichnung:
- 9100 PRO
- Anzahl in Packung:
- Box
- Produkttyp:
- Solid State-Laufwerk
Technische Informationen
- Speicherkapazität:
- 4 TB
- Verschlüsselungsstandard:
- 256-bit AES
Laufwerk
- Random 4KB Leselaufwerk:
- 2200000IOPS
- Random 4KB Schreiblaufwerk:
- 2600000IOPS
- Puffer:
- 4 GB
- Endurance (TBW):
- 2400 TB
- Maximale sequentielle Leserate:
- 14,45 GB/s
- Maximale sequentielle Schreibrate:
- 13,09 GB/s
- Mittlere störungsfreie Zeit (Mean Time Between Failures, MTBF):
- 171,1 Jahr(e)
Schnittstellen / Anschlüsse
- Festplatten-Schnittstelle:
- PCI Express NVMe
- Laufwerk-Schnittstellennorm:
- PCI Express NVMe 5.0 x4
Abmessungen / Gewicht / Farbe
- Laufwerkstyp:
- Intern
- Formfaktor:
- M.2 2280
- Höhe:
- 2,4 mm
- Breite:
- 22,2 mm
- Tiefe:
- 80,2 mm
- Gewicht:
- 9 g
Sonstiges
- Unterstützte Geräte:
- Desktop-PC
- Notebook
- PlayStation
Allgemeines
Bauform (Intern/Extern)
Intern
Auslieferungsausstattung (Bulk/Retail)
Retail
Technische Daten
Typ
Solid State Disk
Festplatten
Solid State Disk
Speicherkapazität
4096 GB
Puffer
14,8 MB
Bus-Typ
PCI
Funktionen
- Schreibgeschwindigkeit: 13400 MB/s
- Lesegeschwindigkeit: 14800 MB/s
- Sicherheitsalgorithmen: 256-Bit-AES
- Schnittstelle: PCI Express 5.0
- SMART-Unterstützung: Ja
- SSD-Kapazität: 4 TB
- Zufälliges Schreiben (4 KB): 2600000 IOPS
- Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 1500000 h
- NVMe: Ja
- Zufälliges Lesen (4 KB): 2200000 IOPS
- DevSlp-Unterstützung (Geräteschlaf): Ja
- Speichertyp: V-NAND TLC
- NVMe-Version: 2.0
- Komponente für: PC/Spiel Konsole
- TRIM-Unterstützung: Ja
- SSD-Formfaktor: M.2
- PCI-Express-Schnittstellendatenspuren: x4
- Hardwareverschlüsselung: Ja
- M.2 SSD-Größe: 2280 (22 x 80 mm)
Stromversorgung
- Betriebsspannung: 3,3 V
- Durchschnittlicher Stromverbrauch (Lesen): 9 W
- Durchschnittlicher Stromverbrauch (Schreiben): 8,2 W
Betriebsbedingungen
- Stoßfestigkeit im Betrieb: 1500 G
- Betriebstemperatur (TT): 0 - 70 °C
Gewicht & Abmessungen
- Gewicht:9 g
- Tiefe:2,38 mm
- Breite:80,2 mm
- Höhe:22,1 mm
Verpackungsdaten
- Verpackungsart:Box
Weitere Funktionen
MZ-VAP4T0BW
Pionierarbeit PCIE® 5.0 Leistung
Holen Sie sich das Maximum von PCIE® 5.0. Der 9100 Pro bietet sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten bis nicht weniger als 14.800/13.400 MB/s, was zweimal schneller ist als die des 990 Pro. Lassen Sie die Grenzen von Gen4 mit zufälligen Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 2200.000/2600.000 IOPS, nur mit Gen5 möglich.
Jede Aufgabe, optimal synchron
Geschwindigkeit und optimale Produktivität. Die ultrahoch zufälligen Lese-/Schreibgeschwindigkeiten bieten eine superschnelle synchrone Verarbeitung für unzählige fragmentierte Daten mit einer Geschwindigkeit von bis zu 2200 K/2600.000 IOPS. Nutzen Sie die hervorragende Ausgabe und die superschnelle Belastung schwerer Spiele, anspruchsvolle Aufgaben und sogar AI-Anwendungen.
Schnell mit KI schaffen
Intelligenz bringt Ihre Leistung auf ein höheres Niveau. Drücken Sie Ihre Grenzen in die Arbeit und spielen Sie mit der Generierung von AI PC und AI -Inhalt, die durch die schnellen zufälligen Les-/Schreibgeschwindigkeiten der 9100 Pro bis zu 2.200.000/2.600.000 IOPS betrieben werden. Das Ergebnis? Schnelles Laden, reibungsloses Spielen und nahtlos arbeiten.
Hervorragende Leistung, jederzeit und überall
Bleib immer einen Schritt voraus. Videos bearbeiten? 3D -Kunst? Oder schönes langes Bingwatching? Dank der neuesten PCIE® 5.0 -Schnittstellen ist alles möglich. Die beste Leistung, jederzeit und überall und auf jedem Gerät. Und weil Sie die Speicherkapazität auf 8 TB erweitern können, müssen Sie nicht mehr darüber nachdenken, was Sie aufbewahren.
Äußerst effiziente Temperaturregelung
Ungestörte Top -Leistung. Die Advanced 5nm Power Architecture sorgt für 49% mehr als der 990 Pro. Dank der hervorragenden Temperaturregelung bleiben Sie in Ihrem Fluss und können sogar die schwersten Programme mit der maximalen Leistung von PCIe® 5.0 durchführen.
Samsung Magier -Software
Entdecken Sie die magische Kraft Ihrer SSD. Samsung Magician Software ist ein Paket von Optimierungstools und bietet Ihnen immer die beste SSD -Leistung. Die sichere und einfache Möglichkeit, alle Ihre Daten für ein Samsung SSD -Upgrade zu migrieren. Schützen Sie wertvolle Daten, behalten Sie den Zustand Ihres Monitor -Treibers im Auge und erhalten Sie die neuesten Firmware -Updates.
Innovationen zum Leben erwecken
Das NAND-Flash-Gedächtnis von Samsung ist die Grundlage für revolutionäre Technologien, die seit Jahrzehnten unser tägliches Leben in allen Bereichen verändert haben. Dieser NAND-Flash-Speicher ist auch die Grundlage unserer SSDs für Kunden und daher die nächste führende Entwicklung.
PCIE® 5.0 Leistung
Max. 14.800/13.400 MB/s Folgende Geschwindigkeiten, zweimal schneller als 990 Pro.
Detaillierte Erfahrung
Sehr viel Kapazität mit außergewöhnlicher Kompatibilität.
Innovative Kraft- und Temperaturkontrolle
Die Leistung ist mit fortgeschrittener Temperaturkontrolle nicht weniger als 49% effizienter.
Holen Sie sich das Maximum von PCIE® 5.0. Der 9100 Pro bietet sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten bis nicht weniger als 14.800/13.400 MB/s, was zweimal schneller ist als die des 990 Pro. Lassen Sie die Grenzen von Gen4 mit zufälligen Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 2200.000/2600.000 IOPS, nur mit Gen5 möglich.
Geschwindigkeit und optimale Produktivität. Die ultrahoch zufälligen Lese-/Schreibgeschwindigkeiten bieten eine superschnelle synchrone Verarbeitung für unzählige fragmentierte Daten mit einer Geschwindigkeit von bis zu 2200 K/2600.000 IOPS. Nutzen Sie die hervorragende Ausgabe und die superschnelle Belastung schwerer Spiele, anspruchsvolle Aufgaben und sogar AI-Anwendungen.
Intelligenz bringt Ihre Leistung auf ein höheres Niveau. Drücken Sie Ihre Grenzen in die Arbeit und spielen Sie mit der Generierung von AI PC und AI -Inhalt, die durch die schnellen zufälligen Les-/Schreibgeschwindigkeiten der 9100 Pro bis zu 2.200.000/2.600.000 IOPS betrieben werden. Das Ergebnis? Schnelles Laden, reibungsloses Spielen und nahtlos arbeiten.
Bleib immer einen Schritt voraus. Videos bearbeiten? 3D -Kunst? Oder schönes langes Bingwatching? Dank der neuesten PCIE® 5.0 -Schnittstellen ist alles möglich. Die beste Leistung, jederzeit und überall und auf jedem Gerät. Und weil Sie die Speicherkapazität auf 8 TB erweitern können, müssen Sie nicht mehr darüber nachdenken, was Sie aufbewahren.
Ungestörte Top -Leistung. Die Advanced 5nm Power Architecture sorgt für 49% mehr als der 990 Pro. Dank der hervorragenden Temperaturregelung bleiben Sie in Ihrem Fluss und können sogar die schwersten Programme mit der maximalen Leistung von PCIe® 5.0 durchführen.
Entdecken Sie die magische Kraft Ihrer SSD. Samsung Magician Software ist ein Paket von Optimierungstools und bietet Ihnen immer die beste SSD -Leistung. Die sichere und einfache Möglichkeit, alle Ihre Daten für ein Samsung SSD -Upgrade zu migrieren. Schützen Sie wertvolle Daten, behalten Sie den Zustand Ihres Monitor -Treibers im Auge und erhalten Sie die neuesten Firmware -Updates.
Das NAND-Flash-Gedächtnis von Samsung ist die Grundlage für revolutionäre Technologien, die seit Jahrzehnten unser tägliches Leben in allen Bereichen verändert haben. Dieser NAND-Flash-Speicher ist auch die Grundlage unserer SSDs für Kunden und daher die nächste führende Entwicklung.
Max. 14.800/13.400 MB/s Folgende Geschwindigkeiten, zweimal schneller als 990 Pro.
Sehr viel Kapazität mit außergewöhnlicher Kompatibilität.
Die Leistung ist mit fortgeschrittener Temperaturkontrolle nicht weniger als 49% effizienter.
Produktspezifikationen:
- Kapazität: 4 TB
- Größe: M.2
- Schnittstelle: PCI Express 5.0
Hersteller-Nr.:MZ-VAP4T0BW
SAMSUNG - Interne M.2 SSD-Festplatte - 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 4 TB - M.2 SSD-Festplatte - 4 TB Speicherkapazität - Schnittstelle: PCI Express 5.0 - 14800 MB/s Lesegeschwindigkeit, 13400 MB/s Schreibgeschwindigkeit- SSD Speicherkapazität:
- 4 TB
- SSD-Formfaktor:
- M.2
- Schnittstelle:
- PCI Express 5.0
- NVMe:
- Ja
- Speichertyp:
- V-NAND TLC
- Komponente für:
- PC/Spielekonsole
- Hardwareverschlüsselung:
- Ja
- NVMe Version:
- 2.0
- Unterstützte Sicherheitsalgorithmen:
- 256-bit AES
- M.2 SSD- Größe:
- 2280 (22 x 80 mm)
- Lesegeschwindigkeit:
- 14800 MB/s
- Schreibgeschwindigkeit:
- 13400 MB/s
- Zufälliges Lesen (4KB):
- 2200000 IOPS
- Zufälliges Schreiben (4KB):
- 2600000 IOPS
- PCI-Expressschnittstelle Daten-Lanes:
- x4
- DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung:
- Ja
- S.M.A.R.T. Unterstützung:
- Ja
- TRIM-Unterstützung:
- Ja
- Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF):
- 1500000 h
- Arbeitsspannung:
- 3,3 V
- Energieverbrauch (lesen):
- 9 W
- Energieverbrauch (schreiben):
- 8,2 W
- Durchschnittlicher Stromverbrauch (Lesen):
- 9 W
- Durchschnittlicher Stromverbrauch (Schreiben):
- 8,2 W
- Energieverbrauch (idle):
- 0,007 W
- Leistungsaufnahme DevSlp (Geräte Schlaf):
- 5,7 mW
- Breite:
- 80,2 mm
- Tiefe:
- 2,38 mm
- Höhe:
- 80,2 mm
- Gewicht:
- 9 g
- Verpackungsbreite:
- 143 mm
- Verpackungstiefe:
- 98 mm
- Verpackungshöhe:
- 22 mm
- Paketgewicht:
- 65 g
- Verpackungsart:
- Box
- Betriebstemperatur:
- 0 - 70 °C
- Stoßfestigkeit in Betrieb:
- 1500 G
- 5 Jahr(e)
Samsung 9100 PRO 4 TB NVMe M.2 PCIe 5.0 SSD Produktmerkmale: Durchschnittlicher Stromverbrauch (Schreiben): 8,2 W PCI Express-Anbindung: x4 Hardwareverschlüsselung: Ja Medienschreibgeschwindigkeit: 13400 MB/s Produktgewicht: 9 g MTBF (Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen): 1.500.000 h SMART-Unterstützung: Ja M.2 SSD-Größe: 2280 (22 x 80 mm) Verwendungszweck: PC/Spielkonsole NVMe-Version: 2.0; Produkttiefe: 2,38 mm; Verpackungsart: Karton; DevSlp-Unterstützung (Geräteschlaf): Ja; Betriebsschockfestigkeit: 1500 G; TRIM-Unterstützung: Ja
NVMe:
Ja
- SSD-Kapazität: 4 TB
- Betriebstemperaturbereich: 0 - 70 °C
- Produkthöhe: 22,1 mm
- Durchschnittlicher Stromverbrauch (Lesen): 9 W
- Zufälliges Lesen (4 KB): 2200000 IOPS
- Speichertyp: V-NAND TLC
- SSD-Typ: M.2
- Verschlüsselung/Sicherheit: 256-Bit-AES
- Schnittstelle: PCI Express 5.0
- 600.000 IOPS; Betriebsspannung: 3,3 V; Medienlesegeschwindigkeit: 14.800 MB/s
Samsung MZ-VAP4T0. SSD-Kapazität: 4 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 14800 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 13400 MB/s, Komponente für: PC/Spielekonsole\
Funktionen
| Speicherkapazität | 4 TB |
| Formatieren | M.2 |
| Schnittstelle | PCI Express 5.0 |
| NVMe | Ja |
| NVMe-Version | 2,0 |
| Art der Erinnerung | V-NAND TLC |
| Lesegeschwindigkeit max. | 14800 MB/s |
| Schreibgeschwindigkeit max. | 13400 MB/s |
| Zufällige Lesegeschwindigkeit (4 KB) | 2200000 IOPS |
| Zufällige Schreibgeschwindigkeit (4 KB) | 2600000 IOPS |
| S.M.A.R.T. Unterstützung | Ja |
| TRIM-Unterstützung | Ja |
| Zuverlässigkeit (MTBF) | 1500000 Stunden |
| Verschlüsselungsunterstützung | 256-Bit-AES |
Energie
| Stromverbrauch (Schreiben) | 8,2W |
| Stromverbrauch (Lesen) | 9 W |
| Stromverbrauch (Leerlauf) | 0,007 W |
| Spannung | 3,3 V |
Gewicht und Größe
| Höhe | 80,2 mm |
| Breite | 80,2 mm |
| Tiefe | 2,38 mm |
| Gewicht | 9 g |
Verpackung
| Art der Verpackung | Kiste |
- Lesegeschwindigkeit
- 14800 MB/s
- Schreibgeschwindigkeit
- 13400 MB/s
- Hersteller
- Plattformen
- ComputerPS5
- Schnittstellen
- PCI Express 5.0 x4
- Anschlüsse
- PCI Express 5.0
- Gewicht
- 0.009 kg
- Speicherkapazität
- 4 TB
- Herstellernummer
- MZ-VAP4T0BW
- EAN
- 8806095811703
- Lesegeschwindigkeit
- 14800 MB/s
- Schreibgeschwindigkeit
- 13400 MB/s
- Hersteller
- Plattformen
- ComputerPS5
- Schnittstellen
- PCI Express 5.0 x4
- Anschlüsse
- PCI Express 5.0
- Gewicht
- 0.009 kg
- Speicherkapazität
- 4 TB
- Herstellernummer
- MZ-VAP4T0BW
- EAN
- 8806095811703
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Top!
Speicherkapazität 2 TB
Ich bin mega zufrieden mit meinem Kauf der Samsung 9100 PRO NVMe M.2 SSD…
Top Qualität, super schnell und genau wie erwartet!
Der Versand war richtig schnell und alles kam in perfektem Zustand an.
Vielen Dank für alles
Vom 6. März 2026
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Schnelle Lieferung und Guter Preis
Speicherkapazität 2 TB
Cooles SSD-Laufwerk, das Wichtigste ist, dass dein Prozessor so eine Datenübertragungsgeschwindigkeit unterstützt.
Vom 19. Dezember 2025
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Alles super
Speicherkapazität 2 TB
Top Produkt, reibungsloser und schneller Versand. Gerne wieder.
Vom 4. Juni 2026
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Speicherkapazität 1 TB
Vom 5. Mai 2026
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Vom 25. April 2026
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Speicherkapazität 2 TB
Vom 19. März 2026
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Speicherkapazität 2 TB
Vom 8. März 2026
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Speicherkapazität 4 TB
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