Samsung MZ-V9P1T0, 1 TB, M.2, 7450 MB/s

Der ultimative PROfessional
Erzielen Sie maximale Leistung mit PCIe 4.0 und erleben Sie ultrastabile Dateiübertragung und -speicherung in Höchstgeschwindigkeit. Die fortschrittliche interne Temperatursteuerung des Controllers sorgt für bemerkenswerte Effizienz und hohe Lese- und Schreibgeschwindigkeiten, damit Sie Ihre Arbeit und Ihre Spiele in vollen Zügen genießen können.

Machen Sie das Beste aus PCIe 4.0
der 990 PRO liefert Geschwindigkeiten, die Sie lieben werden. Im Vergleich zum 980 PRO erreicht er eine Steigerung von 40 % bei sequenziellen Lesevorgängen und 55 % bei sequenziellen Schreibvorgängen. Das Ergebnis sind hohe 1550K und 1400K IOPS bzw. 7450 und 6900 MB/s sequentielle Lese- und Schreibgeschwindigkeiten, die sich den maximalen theoretischen Geschwindigkeiten der PCIe 4.0-Schnittstelle selbst annähern. Ihre Lieblingsspiele, Datenanalyseergebnisse, bearbeitete Videos und 3D-Modelle werden also geladen, bevor Sie SSD sagen können.

Bahnbrechende Energie-Effizienz
Verlassen Sie sich auf höhere Leistung bei geringerem Stromverbrauch. Das verbesserte Design und die daraus resultierende 50 % höhere Effizienz pro Leistungseinheit im Vergleich zur 980 PRO bedeuten, dass das Laufwerk das volle Potenzial von PCIe 4.0 nutzen kann, ohne sich mit hohem Stromverbrauch und den daraus resultierenden schnell steigenden Temperaturen oder Stromrechnungen auseinandersetzen zu müssen.

Cleveres Wärmeableitungssystem
Die 990 PRO verfügt über Samsungs hochmodernen thermischen Kontrollalgorithmus, der den thermischen Zustand des NAND-Chips und den Wärmespreizer zuverlässig verwaltet, um den Chip kühl zu halten, während die Funktion Dynamic Thermal Guard automatisch die Temperatur des Laufwerks überwacht und seine Geschwindigkeit in Echtzeit optimiert, um die bestmögliche Leistung und Kühlung zu erzielen.

Parameter und Spezifikationen:
1 TB Kapazität
M.2 2280
Schnittstelle: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Steuerung: Samsung eigener Controller
NAND-Flash: Samsung V-NAND 3-Bit MLC
Cache: Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM
Verschlüsselungsunterstützung: AES 256-Bit-Verschlüsselung (Klasse 0)TCG/Opal IEEE1667 (verschlüsseltes Laufwerk)

Sequentielle Geschwindigkeit:
o Lesen (Max): 7450 MB/s
o Schreiben (Max): 6900 MB/s

Maximale Anzahl von zufälligen I/O-Lese- und Schreibvorgängen pro pro Sekunde:
o Lesen: 1.200.000 IOPS (4KB, QD32)
o Lesen: 22.000 IOPS (4KB, QD1)
o Schreiben: 1.550.000 IOPS (4KB, QD32)
o Schreiben: 80 000 IOPS (4KB, QD1)

Stromverbrauch:
Durchschnittliche Leistungsaufnahme: 5,4 W
Leerlauf: 50mW

Schock: 1.500 G & 0,5 ms (Halbsinus)
MTBF: 1.500.000 Stunden
Betriebstemperatur: 0°C bis 70°C

Sonstiges:
- TRIM
- S.M.A.R.T
- Auto Garbage Collection Algorithmus
- AES 256-bit Verschlüsselung (Klasse 0)TCG/Opal IEEE1667 (Verschlüsseltes Laufwerk)

Abmessungen: 80 x 24,3 x 8,2 mm (mit Kühlkörper)
Gewicht: 28 g

Lieferumfang

SSD, Bedienungsanleitung

Die Samsung 990 PRO mit 1 TB und Kühlkörper ist eine leistungsstarke interne NVMe SSD für Gaming-PCs, leistungsfähige Desktop-Systeme und kompatible Spielkonsolen wie die PlayStation 5. Über die PCIe-4.0-x4-Schnittstelle und das NVMe-2.0-Protokoll erreicht sie sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.450 MB/s sowie Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 6.900 MB/s. Samsung V-NAND Technologie, ein Samsung eigener Controller und 1 GB LPDDR4 Cache sorgen für eine schnelle und reaktionsstarke Leistung bei Gaming, anspruchsvollen Anwendungen und großen Dateiübertragungen. Der integrierte Kühlkörper unterstützt ein effizientes Temperaturmanagement und trägt dazu bei, auch bei intensiver Nutzung eine stabile Leistung aufrechtzuerhalten. Mit 1 TB Speicherkapazität und dem M.2-2280-Formfaktor bietet die 990 PRO eine leistungsstarke Speichererweiterung für kompatible Systeme.

Marke: Samsung
Serie: 990 PRO
Produkttyp: Interne NVMe Solid State Drive (SSD)
Modell: MZ-V9P1T0
Hersteller-Teilenummer: MZ-V9P1T0CW
EAN: 8806094594645
Speicherkapazität: 1 TB / 1.000 GB
Formfaktor: M.2 2280
Schnittstelle: PCIe 4.0 x4
Protokoll: NVMe 2.0
Speichertechnologie: Samsung V-NAND 3-Bit MLC
Controller: Samsung eigener Controller
Cache-Speicher: 1 GB Low Power DDR4 SDRAM
Sequenzielle Lesegeschwindigkeit: Bis zu 7.450 MB/s
Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit: Bis zu 6.900 MB/s
Zufällige Leseleistung: Bis zu 1.200.000 IOPS
Zufällige Schreibleistung: Bis zu 1.550.000 IOPS
Schreibvolumen: 600 TBW
MTBF: Bis zu 1,5 Millionen Stunden
TRIM-Unterstützung: Ja
S.M.A.R.T.-Unterstützung: Ja
Hardwareverschlüsselung: AES 256-Bit, TCG/Opal, IEEE1667
Temperaturmanagement: Integrierter Kühlkörper / Dynamic Thermal Guard
Betriebstemperatur: 0 °C bis 70 °C
Stoßfestigkeit: 1.500 G / 0,5 ms
Abmessungen mit Kühlkörper: 80 × 24,3 × 8,2 mm
Gewicht: Max. 28 g
Kühlkörper: Ja
Verpackung: Retail

Samsung MZ-V9P1T0.

SSD, Kapazität: 1000 GB, SSD-Festplattenformfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 7450 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 6900 MB/s, Bauteil für: PC.

Technische Daten: - SSD-Laufwerksgröße M.2: 2280 (22 x 80 mm).

- SSD-Festplattenformfaktor: M.2.

- SSD: 1 TB.

- Schnittstelle: PCI Express 4.0.

- Speichertyp: V-NAND MLC.

- NVMe: Ja.

- Bauteil für: PC.

- Hardwareverschlüsselung: Ja.

- Lesegeschwindigkeit: 7450 MB/s.

- Schreibgeschwindigkeit: 6900 MB/s.

- Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-Bit-AES.

- Zufälliges Lesen (4 KB): 1200000 IOPS.

- Zufälliges Schreiben (4 KB): 1550000 IOPS.

- Durchschnittliche Ausfallzeit: 1500000 h.

- NVMe-Version: 2.0.

- SMART-Unterstützung: Ja.

- TRIM-Unterstützung: Ja.

- DevSleep-Funktion: Ja.

- Breite: 80 mm.

- Tiefe: 8,2 mm.

- Höhe: 24,3 mm.

- Gewicht: 28 g.

- Stromverbrauch (Durchschnitt): 5,4 W.

- Betriebsspannung: 3,3 V.

- Stromverbrauch (max): 7,8 W.

- Betriebstemperaturbereich: 0 -70 °C.

- Stöße im Betrieb: 1500 G.

SSD Speicherkapazität:

1 TB

SSD-Formfaktor:

M.2

Schnittstelle:

PCI Express 4.0

NVMe:

Ja

Speichertyp:

V-NAND MLC

Komponente für:

PC/Spielekonsole

Hardwareverschlüsselung:

Ja

NVMe Version:

2.0

Unterstützte Sicherheitsalgorithmen:

256-bit AES

M.2 SSD- Größe:

2280 (22 x 80 mm)

Lesegeschwindigkeit:

7450 MB/s

Schreibgeschwindigkeit:

6900 MB/s

Zufälliges Lesen (4KB):

1200000 IOPS

Zufälliges Schreiben (4KB):

1550000 IOPS

DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung:

Ja

S.M.A.R.T. Unterstützung:

Ja

TRIM-Unterstützung:

Ja

Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF):

1500000 h

Arbeitsspannung:

3,3 V

Stromverbrauch (max.):

7,8 W

Stromverbrauch (durchschnittl.):

5,4 W

Energieverbrauch (idle):

0,05 W

Breite:

80 mm

Tiefe:

8,2 mm

Höhe:

24,3 mm

Gewicht:

28 g

Betriebstemperatur:

0 - 70 °C

Stoßfestigkeit in Betrieb:

1500 G

Die SAMSUNG 990 PRO Heatsink 1 TB Gaming Festplatte bietet dir eine starke Kombination aus Geschwindigkeit, Zuverlässigkeit und Kühltechnologie. Mit dieser SSD hältst du eine High-End-Lösung in Händen, die speziell für anspruchsvolles High-End-Gaming auf der PlayStation 5© entwickelt wurde. Die hohen Transfergeschwindigkeiten von bis zu 7.450 MB/s verringern die Ladezeiten auf ein vernachlässigendes Minimum. Zudem wird dir ein flüssigeres Spielerlebnis, das dich voll und ganz in deine Lieblingsspiele eintauchen lässt, geboten.SONY®, Playstation©, DualSense® and DualShock® are registered Trademarks from SONY® Computer Entertainment, Europe Ltd.

Hinweis: Jeder Artikel wird mit einem fälschungssicheren Siegel versehen.

Funktionen

• M.2 SSD-Größe:2280 (22 x 80 mm)
• Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF):1500000 h
• Komponente für:PC
• SSD-Formfaktor:M.2
• TRIM-Unterstützung:Ja
• SMART-Unterstützung:Ja
• Sicherheitsalgorithmen:256-Bit-AES
• Lesegeschwindigkeit:7450 MB/s
• Zufälliges Lesen (4 KB):1200000 IOPS
• SSD-Kapazität:1 TB
• Schreibgeschwindigkeit:6900 MB/s
• NVMe-Version:2.0
• Schnittstelle:PCI Express 4.0
• DevSlp-Unterstützung (Geräteruhemodus):Ja
• Zufälliges Schreiben (4 KB): 1550000 IOPS
• NVMe: Ja
• Speichertyp: V-NAND MLC
• Hardwareverschlüsselung: Ja

Stromversorgung

• Betriebsspannung: 3,3 V
• Stromverbrauch (max.): 7,8 W
• Stromverbrauch (durchschnittlich): 5,4 W

Betriebsbedingungen

• Betriebstemperatur (TT): 0 – 70 °C
• Betriebserschütterung: 1500 G

Gewicht und Abmessungen

• Tiefe: 8,2 mm
• Gewicht: 28 g
• Breite: 80 mm
• Höhe: 24,3 mm

Wenn Sie sich leidenschaftlich mit IT und Elektronik beschäftigen, mit der Technologie auf dem neuesten Stand sein wollen und nicht einmal die winzigsten Einzelheiten auslassen, Festplatte Samsung MZ-V9P1T0GW PCI Express 3.

• Festplattenlaufwerk: 1 TB SSD
• Geschwindigkeit:
  • 7450 MB/s
  • 6900 MB/s
• Anschlüsse:
  • PCI Express 4.0
  • M.2
• Spannung: 3,3 V
• Breite: 8 cm
• Empfohlene Verwendung: Desktop PC
• Sicherheit: AES 256-bit
• Ungefähres Gewicht: 28 g
• Speichertyp: V-NAND MLC
• Farbe: Schwarz
• Merkmale: Tastensteuerung
• Kompatibel:
  • NVMe-SSD
  • PC
• Typ:
  • PCI-Express 3.0
  • V-NAND MLC
• Arbeitstemperaturbereich: 0º / 70º C

SAMSUNG
Interne M.2 SSD-Festplatte
990 PRO NVMe™ M.2 SSD - 1 TB mit Heatsink
M.2 SSD-Festplatte
1 TB Speicherkapazität
Schnittstelle: PCI Express 4.0
7450 MB/s Lesegeschwindigkeit, 6900 MB/s Schreibgeschwindigkeit

Biologisch abbaubares, gepanzertes Gehäuse für Raptic Air mit Metallkanten, MagSafe-kompatibel. Dieses Gehäuse ist zum Schutz und zur Dekoration konzipiert – es macht es perfekt. Dank einer durchdachten Produktion erfüllt es perfekt eine weitere Rolle – obwohl es zur Gruppe der Kunststoffprodukte gehört, trägt es nicht zur Verschlechterung der Umwelt bei. Es kann als umweltfreundlich bezeichnet werden, da es aus recycelten Materialien hergestellt wird und sich nach Gebrauch selbst abbaut. Sowohl der Rumpf selbst als auch die Box verschwinden vom Erdboden. Das Air-Modell für den Planeten und Ihr Smartphone ist mit Metallelementen versehen, wodurch es keine Angst vor Beschädigungen hat. Das bestätigen auch die Tests – das Smartphone und die Hülle überstanden einen Sturz aus 4 Metern Höhe. Spezifikation: Marke: Raptic Modell: Luft Material: Aluminium, TPU, thermoplastisches Polyurethan, EcoElement™ Hauptvorteile des biologisch abbaubaren Raptic Air-Gehäuses: Biologisch abbaubare Materialien: Sowohl das Gehäuse als auch die Verpackung sind biologisch abbaubar. Sie stammen aus dem Recycling. Dadurch können Sie die Technologie nutzen, ohne negative Auswirkungen auf die Umwelt zu haben. Selbst wenn Sie das Gehäuse häufig wechseln, müssen Sie kein schlechtes Gewissen haben, weil Sie die Umwelt verschmutzen. Liegt angenehm in der Hand: Die angenehme Textur sorgt für eine interessante Optik und sorgt für einen festen Halt des Geräts. Geschütztes Polster: Auf der Innenseite sind die Kanten mit feinen Rillen versehen, die die Energie von Stößen und Stürzen absorbieren. Die Auswirkungen von Stürzen sind deutlich geringer oder werden ganz gemildert. Verstärkte und erhöhte Kanten: Sie können das Gerät bedenkenlos mit dem Bildschirm oder der Kamera nach unten platzieren, ohne die empfindliche Oberfläche zu zerkratzen. Schutz in Militärqualität: Die Hülle schützt das Telefon vor Stürzen aus einer Höhe von bis zu 4 Metern. Präzise Aussparungen: Dank derer Sie alle verfügbaren Funktionen und Anschlüsse des Smartphones bequem nutzen können. MagSafe-kompatibel: Die Hülle beeinträchtigt nicht das kabellose Laden. Das bedeutet, dass Sie es nicht abnehmen müssen, um Ihr Smartphone mit Strom zu versorgen. Metallverstärkung an der Ober- und Unterkante: Dadurch werden strategische Stellen zusätzlich geschützt. Auch der Akzent aus gebürstetem Stahl sieht toll aus.

Kurzinfo: Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0GW - SSD - verschlüsselt - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2.0 - integrierter Kühlkörper Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZ-V9P1T0GW Modell 990 PRO MZ-V9P1T0GW EAN/UPC 8806094594645 Produktbeschreibung: Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0GW - SSD - 1 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe) Typ Solid State Drive - intern Kapazität 1 TB Integrierter Kühlkörper Ja Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 4.0 x4 (NVMe) Merkmale 1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Schlafmodus, NVMe 2.0, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 24.3 mm x 80 mm x 8.2 mm Gewicht 28 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Integrierter Kühlkörper Ja Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 4.0 x4 (NVMe) Merkmale 1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Schlafmodus, NVMe 2.0, S.M.A.R.T. Breite 24.3 mm Tiefe 80 mm Höhe 8.2 mm Gewicht 28 g Leistung Interner Datendurchsatz 7450 MBps (lesen)/ 6900 MBps (Schreiben) Maximal 4 KB Random Write 1550000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 1200000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1,500,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen PCI Express 4.0 x4 (NVMe) Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Stromversorgung Energieverbrauch 5.4 Watt (Lesen) 5 Watt (Schreiben) 50 mW (Leerlauf) 5 mW (L1.2-Modus) Software & Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Kennzeichnung IEEE 1667 Verpackungsdetails Box Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Min. Lagertemperatur -40 °C Max. Lagertemperatur 85 °C Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb 5 - 95 % (nicht kondensierend) Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) 20 g @ 20-2000 Hz

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Samsung MZ-V9P1T0. SSD Speicherkapazität: 1 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 7450 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 6900 MB/s, Komponente für: PC

SAMSUNG T5 1 TB externe SSD schwarz MU-PA1T0B/EU

Merkmale | NVMe Version: 2.0 | Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-bit AES | SSD-Formfaktor: M.2 | SSD Speicherkapazität: 1 TB | Schnittstelle: PCI Express 4.0 | Eigenschaft: NVMe | Speichertyp: V-NAND MLC | Komponente für: PC | Eigenschaft: Hardwareverschlüsselung | M.2 SSD- Größe: 2280 (22 x 80 mm) | Lesegeschwindigkeit: 7450 MB/s | Schreibgeschwindigkeit: 6900 MB/s | Zufälliges Lesen (4KB): 1200000 IOPS | Zufälliges Schreiben (4KB): 1550000 IOPS | Eigenschaft: DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung | Eigenschaft: S.M.A.R.T. Unterstützung | Eigenschaft: TRIM-Unterstützung | Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 1500000 h | Energie | Arbeitsspannung: 3.3 V | Stromverbrauch (max.): 7.8 W | Stromverbrauch (durchschnittl.): 5.4 W | Betriebsbedingungen | Betriebstemperatur: 0 - 70 °C | Stoßfestigkeit in Betrieb: 1500 G | Gewicht und Abmessungen | Breite: 80 mm | Tiefe: 8.2 mm | Höhe: 24.3 mm | Gewicht: 28 g |