BRAINZAP 4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3L-12800S-11-11-B2 1Rx8 1600 MHz 1.35V CL11 Notebook Laptop Arbeitsspeicher

Produktbeschreibung

Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-SO-1600-1RL-11-11-B2 läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.

Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz.

Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800S-11-11-B2 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11.

Das Speichermodul ist einseitig bestückt (Single-Rank 1Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.

Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).

• Neuer Speicher.
• Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)
• Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher.
• Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.
• Kompatibel mit PC3L-12800S-11-11-B2 wie z.B:
  Micron MT8KTF51264HZ-1G6E1
  Micron MT8KTF51264HZ-1G6E2
  Samsung M471B5173BH0-YK0
  Samsung M471B5173CB0-YK0
  

Produktdetails

• EAN: 4262360570784
• Speichertyp: DDR3 RAM
• Marke: BRAINZAP
• Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-1RL-11-11-B2
• Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD
• Speicher-Frequenz: 1600 MHz
• Modul-Einzelkapazität: 4GB
• Anzahl Module: 1
• Gesamtkapazität: 4GB
• Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11-11-B2
• JEDEC Norm: PC3L-12800S
• Bauform: SO DIMM 204-pol.
• Unbuffered: ja
• ECC: nein
• Registriert: nein
• Spannung: 1.35V
• Latenz (CL): 11
• RAS to CAS Delay (tRCD): 11
• Ras Precharge Time (tRP): 11
• Chip-Anordnung: 1Rx8