BRAINZAP 4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3L-12800S 2Rx8 1600 MHz 1.35V CL11 Notebook Laptop Arbeitsspeicher

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Produktbeschreibung & Produktdaten

Produktbeschreibung



Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-SO-1600-2RX8-L läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.

Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz.

Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800S-11 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11.

Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.

Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).

  • Neuer Speicher.
  • Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)
  • Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher.
  • Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.

Produktdetails



  • EAN: 4262360570234
  • Speichertyp: DDR3 RAM
  • Marke: BRAINZAP
  • Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-2RX8-L
  • Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD
  • Speicher-Frequenz: 1600 MHz
  • Modul-Einzelkapazität: 4GB
  • Anzahl Module: 1
  • Gesamtkapazität: 4GB
  • Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11
  • JEDEC Norm: PC3L-12800S
  • Bauform: SO DIMM 204-pol.
  • Unbuffered: ja
  • ECC: nein
  • Registriert: nein
  • Spannung: 1.35V
  • Latenz (CL): 11
  • Chip-Anordnung: 2Rx8
Modell
BS-D3-4G-SO-1600-2RX8-L
Hersteller
BRAINZAP
Speichertechnologie
DDR3
Speicherkapazität
4 B
Lieferumfang
1x 4GB DDR3 RAM Speichermodul
Herstellernummer
BS-D3-4G-SO-1600-2RX8-L
EAN
4262360570234
Modell
BS-D3-4G-SO-1600-2RX8-L
Hersteller
BRAINZAP
Speichertechnologie
DDR3
Speicherkapazität
4 B
Lieferumfang
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BS-D3-4G-SO-1600-2RX8-L
EAN
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