BRAINZAP 8GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3L-12800S-11-13-F3 2Rx8 1600 MHz 1.35V CL11 Notebook Laptop Arbeitsspeicher

Unser 8GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-8G-SO-1600-2RL-11-13-F3 läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800S-11-13-F3 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11 . Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8) . Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).

Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Kompatibel mit PC3L-12800S-11-13-B4 wie z.B: Hynix HMT41GS6AFR8A-PB Hynix HMT41GS6BFR8A-PB Samsung M471B1G73QH0-YK0 Samsung M471B1G73DB0-YK0 Samsung M471B1G73EB0-YK0

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