IRFP31N50L POWER MOSFET

N-Channel HEXFET

VISHAY/SLICONIX

500V 31A TO-247

Drain-Source-Spannung (Vdss)500V

Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C31 A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))10V

Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C180 mOhm bei 19A, 10V

Vgs(th) (max.) bei Id5V bei 250µA

Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs210nC @ 10V

Vgs (Max.)±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds5000pF @ 25V

FET-Merkmal-

Verlustleistung (max.)460 W (Tc)

Betriebstemperatur-55°C bis 150°C (TJ)

MontagetypDurchkontaktierung

Gehäusetyp vom LieferantenTO-247-3

Neu, in Bulk Verpackung

Lieferumfang:

2 Stück IRFP31N50L Vishay-Siliconix

mit ausgewiesener MwSt.

Hersteller/ EU Verantwortliche Person

Vishay Electronic GmbH, Dr.-Felix-Zandman-Platz 1, 95100Selb

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2x IRFP31N50L Power MOSFET N-Chan 500V 31A TO-247 Rectifier #704146

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