Samsung MZ-V9P2T0 M.2 2 TB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

Der ultimative PROfessional
Erzielen Sie maximale Leistung mit PCIe 4.0 und erleben Sie ultrastabile Dateiübertragung und -speicherung in Höchstgeschwindigkeit. Die fortschrittliche interne Temperatursteuerung des Controllers sorgt für bemerkenswerte Effizienz und hohe Lese- und Schreibgeschwindigkeiten, damit Sie Ihre Arbeit und Ihre Spiele in vollen Zügen genießen können.

Machen Sie das Beste aus PCIe 4.0
der 990 PRO liefert Geschwindigkeiten, die Sie lieben werden. Im Vergleich zum 980 PRO erreicht er eine Steigerung von 40 % bei sequenziellen Lesevorgängen und 55 % bei sequenziellen Schreibvorgängen. Das Ergebnis sind hohe 1550K und 1400K IOPS bzw. 7450 und 6900 MB/s sequentielle Lese- und Schreibgeschwindigkeiten, die sich den maximalen theoretischen Geschwindigkeiten der PCIe 4.0-Schnittstelle selbst annähern. Ihre Lieblingsspiele, Datenanalyseergebnisse, bearbeitete Videos und 3D-Modelle werden also geladen, bevor Sie SSD sagen können.

Bahnbrechende Energie-Effizienz
Verlassen Sie sich auf höhere Leistung bei geringerem Stromverbrauch. Das verbesserte Design und die daraus resultierende 50 % höhere Effizienz pro Leistungseinheit im Vergleich zur 980 PRO bedeuten, dass das Laufwerk das volle Potenzial von PCIe 4.0 nutzen kann, ohne sich mit hohem Stromverbrauch und den daraus resultierenden schnell steigenden Temperaturen oder Stromrechnungen auseinandersetzen zu müssen.

Cleveres Wärmeableitungssystem
Die 990 PRO verfügt über Samsungs hochmodernen thermischen Kontrollalgorithmus, der den thermischen Zustand des NAND-Chips und den Wärmespreizer zuverlässig verwaltet, um den Chip kühl zu halten, während die Funktion Dynamic Thermal Guard automatisch die Temperatur des Laufwerks überwacht und seine Geschwindigkeit in Echtzeit optimiert, um die bestmögliche Leistung und Kühlung zu erzielen.

Parameter und Spezifikationen:
Kapazität: 2 TB
M.2 2280
Schnittstelle: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Steuerung: Samsung eigener Controller
NAND-Flash: Samsung V-NAND 3-Bit MLC
Cache: Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM
Verschlüsselungsunterstützung: AES 256-Bit-Verschlüsselung (Klasse 0)TCG/Opal IEEE1667 (verschlüsseltes Laufwerk)

Sequentielle Geschwindigkeit:
o Lesen (Max): 7450 MB/s
o Schreiben (Max): 6900 MB/s

Maximale Anzahl von zufälligen I/O-Lese- und Schreibvorgängen pro pro Sekunde:
o Lesen: 1.400.000 IOPS (4KB, QD32)
o Lesen: 22.000 IOPS (4KB, QD1)
o Schreiben: 1.550.000 IOPS (4KB, QD32)
o Schreiben: 80 000 IOPS (4KB, QD1)

Stromverbrauch:
Durchschnittliche Leistungsaufnahme: 5,5 W
Leerlauf: 55mW

Schock: 1.500 G & 0,5 ms (Halbsinus)
MTBF: 1.500.000 Stunden
Betriebstemperatur: 0°C bis 70°C

Sonstiges:
- TRIM
- S.M.A.R.T
- Auto Garbage Collection Algorithmus
- AES 256-bit Verschlüsselung (Klasse 0)TCG/Opal IEEE1667 (Verschlüsseltes Laufwerk)

Abmessungen: 80 x 24,3 x 8,2 mm (mit Kühlkörper)
Gewicht: 28 g