- RAM-Speicher:
- 4 GB
- Speicherlayout (Module x Größe):
- 1 x 4 GB
- Interner Speichertyp:
- DDR3L
- Speichertaktfrequenz:
- 1600 MHz
- Komponente für:
- Notebook
- Memory Formfaktor:
- 204-pin SO-DIMM
- Gepufferter Speichertyp:
- Unregistered (unbuffered)
- CAS Latenz:
- 11
- Speicherrangfolge:
- 1
- Speicherspannung:
- 1.35 V
- Modulkonfiguration:
- 512M x 8
- Breite:
- 67,6 mm
- Tiefe:
- 30 mm
- Höhe:
- 3,8 mm
Samsung - DDR3L - 4 GB - SO DIMM 204-PIN - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 / 1.5 V - ungepuffert - non-ECC
